Технические характеристики Аквафлоу RO 40-0,25*: Производительность по очищенной воде: 0,25 м³/ч Потребление исходной воды: 0,35 м³/ч Расход концентрата: 0,1 м³/ч Рецикл (возврат части потока): 0,5 - 2,0 м³/ч - при температуре исходной воды 10°С и общем солесодержании исходной воды не более 1000мг/л.
Состав установки обратного осмоса: – Шкаф автоматики управления установкой – Датчик электропроводности – Насос высокого давления НВД – Мембранный корпус из стеклопластика – Мембраны обратноосмотические 4040 – Стальная окрашенная рама – Входной кран – Фильтр картриджный тонкой очистки – Электромагнитный клапан ЭМК входной – Электромагнитный клапан гидромойки – Реле низкого давления (защита НВД от сухого хода) – Вентиль регулировки расхода воды после насоса – Вентиль регулировки расхода концентрата – Вентиль регулировки расхода рецикла – Манометр давления воды после картриджного фильтра – Манометр давления насоса высокого давления НВД – Ротаметр пермеата – Ротаметр рецикла – Ротаметр концентрата (сброс в канализацию) – Регулирование рамы установки по уровню (регулируемые опоры)
Дополнительные опции: – комплекс дозирования антискаланта (насос-дозатор + емкость для реагента) – блок химической промывки мембран (CIP-мойка) – линия подмеса исходной воды – рама из нержавеющей стали
Автоматика установки: - автоматический режим работы установки - автоматический пуск, остановка установки обратного осмоса при достижении среднего, верхнего уровня в резервуаре чистой воды по дискретным сигналам датчиков уровня - контроль уровня антискаланта в ёмкости комплекса дозирования, остановка установки обратного осмоса при низком уровне реагента (опция) - защита насоса высокого давления (НВД) от «сухого хода»
Индикация на панели шкафа управления исполнительных механизмов: - датчики верхнего уровня резервуара чистой воды - реле низкого давления исходной воды - электромагнитный клапан исходной воды - электромагнитный клапан гидромойки - отображение значения электропроводности - контроль электропроводности, индикация при превышении установленных параметров